現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G1646F-BFMA

Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BFMA

KEY Part #: K7359660

[21119個在庫]

    品番:
    K4B2G1646F-BFMA
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、SLC Nand, HBM Aquabolt, DDR3, GDDR6, HBM Flarebolt, DDR4, GDDR5 and LPDDR5を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BFMA electronic components. K4B2G1646F-BFMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BFMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G1646F-BFMA 製品の属性

    品番 : K4B2G1646F-BFMA
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 2 Gb
    組織。 : 128M x 16
    速度 : 1866 Mbps
    電圧 : 1.35 V
    温度。 : -40 ~ 95 °C
    パッケージ : 96FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    最新ニュース

    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    The future of NAND technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    あなたも興味があるかもしれません
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ホットパーツ