現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BCNB

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BCNB

KEY Part #: K7359690

[25323個在庫]

    品番:
    K4B4G1646D-BCNB
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、GDDR5, DDR3, LPDDR4, LPDDR4X, HBM Aquabolt, DDR4, HBM Flarebolt and MODULEを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BCNB electronic components. K4B4G1646D-BCNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BCNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BCNB 製品の属性

    品番 : K4B4G1646D-BCNB
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 4 Gb
    組織。 : 256M x 16
    速度 : 2133 Mbps
    電圧 : 1.5 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 96FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    最新ニュース

    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Speed for the next generation of mobile devices
    The future of NAND technology
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    あなたも興味があるかもしれません
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ホットパーツ