NXP USA Inc. - PSMN8R0-30YL,115

KEY Part #: K6405814

[1535個在庫]


    品番:
    PSMN8R0-30YL,115
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL,115 electronic components. PSMN8R0-30YL,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R0-30YL,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN8R0-30YL,115 製品の属性

    品番 : PSMN8R0-30YL,115
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 62A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.3 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.15V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18.3nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1005pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 56W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
    パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

    あなたも興味があるかもしれません
    • CPH6444-TL-E

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6.

    • CPH6347-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 20V 6A CPH6.

    • FDD4685-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 27 MOHM.

    • BFL4037

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI.

    • BMS4007

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML.

    • BFL4026

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI.