STMicroelectronics - STP20N90K5

KEY Part #: K6400616

STP20N90K5 価格設定(USD) [12129個在庫]

  • 1 pcs$3.19948
  • 10 pcs$2.85794
  • 100 pcs$2.34333
  • 500 pcs$1.89752
  • 1,000 pcs$1.60032

品番:
STP20N90K5
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
N-CHANNEL 900 V 0.24 OHM TYP..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STP20N90K5 electronic components. STP20N90K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP20N90K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP20N90K5 製品の属性

品番 : STP20N90K5
メーカー : STMicroelectronics
説明 : N-CHANNEL 900 V 0.24 OHM TYP.
シリーズ : MDmesh™ K5
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 250 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1500pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • FQD3P50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • IRFI720GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP.

  • IRFU9024PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK.

  • CSD13306WT

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.

  • CSD18536KCS

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3.

  • CSD17575Q3T

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.