QS8M51TR 価格設定（USD） [185557個在庫]
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- 品番:
- QS8M51TR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS8M51TR electronic components. QS8M51TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS8M51TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS8M51TR 製品の属性
品番 :
QS8M51TR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A, 1.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
325 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.7nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
290pF @ 25V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT8
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