現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. WPH4003-1E

ON Semiconductor - WPH4003-1E

KEY Part #: K6398384

WPH4003-1E 価格設定（USD） [15560個在庫]

  • 1 pcs$2.64861
  • 10 pcs$2.36347
  • 100 pcs$1.93789
  • 500 pcs$1.56920
  • 1,000 pcs$1.32342
品番:
WPH4003-1E
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1700V 2.5A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor WPH4003-1E electronic components. WPH4003-1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for WPH4003-1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

WPH4003-1E 製品の属性

品番 : WPH4003-1E
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 1700V 2.5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 850pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PF
パッケージ/ケース : TO-3P-3 Full Pack

最新ニュース

ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
ON Semiconductor NCP187 1.2A Low Dropout Linear Voltage Regulator
ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
ON Semiconductor FUSB380C Autonomous USB Type-C® Cable Marker
ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
ON Semiconductor FSA515 Depletion Switch
ON Semiconductor NCP13992 Evaluation Board
ON Semiconductor LFPAK4 Industrial Power MOSFETs
あなたも興味があるかもしれません
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFIB5N65APBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.

  • TK290A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.

ホットパーツ