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- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H(TE12LQ,M electronic components. TPC8212-H(TE12LQ,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8212-H(TE12LQ,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8212-H(TE12LQ,M 製品の属性
品番 :
TPC8212-H(TE12LQ,M
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
840pF @ 10V
パワー-最大 :
450mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP (5.5x6.0)
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