Toshiba Semiconductor and Storage - TPH5900CNH,L1Q

KEY Part #: K6416479

TPH5900CNH,L1Q 価格設定(USD) [185557個在庫]

  • 1 pcs$0.20934
  • 5,000 pcs$0.20830

品番:
TPH5900CNH,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH,L1Q electronic components. TPH5900CNH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH5900CNH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH5900CNH,L1Q 製品の属性

品番 : TPH5900CNH,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 59 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 600pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.6W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.