メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.6V @ 2.6mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
380pF @ 400V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HSOF-8-3