Infineon Technologies - IGT60R070D1ATMA1

KEY Part #: K6395672

IGT60R070D1ATMA1 価格設定(USD) [5772個在庫]

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品番:
IGT60R070D1ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGT60R070D1ATMA1 製品の属性

品番 : IGT60R070D1ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
シリーズ : CoolGaN™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 31A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 2.6mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 380pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-3
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN