Vishay Siliconix - IRF710STRR

KEY Part #: K6414479

[12741個在庫]


    品番:
    IRF710STRR
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRF710STRR electronic components. IRF710STRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF710STRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF710STRR 製品の属性

    品番 : IRF710STRR
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 400V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 170pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 36W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRFI9634G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP.

    • IRFI9640G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP.

    • IRLMS4502TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP.

    • IRF9Z34NSTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK.

    • IRF9Z24NSTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK.

    • IRF9Z24NSTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK.