C2M1000170D 価格設定（USD） [16942個在庫]
- 1 pcs$2.43266
- 品番:
- C2M1000170D
- メーカー:
- Cree/Wolfspeed
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C2M1000170D electronic components. C2M1000170D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C2M1000170D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C2M1000170D 製品の属性
品番 :
C2M1000170D
メーカー :
Cree/Wolfspeed
説明 :
MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
シリーズ :
Z-FET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 20V
Vgs（最大） :
+25V, -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
191pF @ 1000V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
69W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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