FQB10N50CFTM-WS 価格設定（USD） [52314個在庫]
- 1 pcs$0.74741
- 品番:
- FQB10N50CFTM-WS
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 10A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB10N50CFTM-WS electronic components. FQB10N50CFTM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB10N50CFTM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB10N50CFTM-WS 製品の属性
品番 :
FQB10N50CFTM-WS
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
シリーズ :
FRFET®, QFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
610 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2210pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
143W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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