説明 :
900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
23A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.5V @ 3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
17.3nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
350pF @ 600V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3