メーカー :
Microsemi Corporation
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
49A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
125nC @ 20V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC