Vishay Siliconix - SQJ443EP-T1_GE3

KEY Part #: K6420025

SQJ443EP-T1_GE3 価格設定(USD) [152759個在庫]

  • 1 pcs$0.24213
  • 3,000 pcs$0.20465

品番:
SQJ443EP-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3 electronic components. SQJ443EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ443EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ443EP-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQJ443EP-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2030pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 83W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

あなたも興味があるかもしれません