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ON Semiconductor - NTZD5110NT1G

KEY Part #: K6525015

NTZD5110NT1G 価格設定（USD） [921574個在庫]

  • 1 pcs$0.04014
  • 4,000 pcs$0.03907
品番:
NTZD5110NT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTZD5110NT1G electronic components. NTZD5110NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTZD5110NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTZD5110NT1G 製品の属性

品番 : NTZD5110NT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 294mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 24.5pF @ 20V
パワー-最大 : 250mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-563

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