ON Semiconductor - FDP80N06

KEY Part #: K6417491

FDP80N06 価格設定(USD) [32472個在庫]

  • 1 pcs$1.24277
  • 10 pcs$1.06615
  • 100 pcs$0.85681
  • 500 pcs$0.66641
  • 1,000 pcs$0.55217

品番:
FDP80N06
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDP80N06 electronic components. FDP80N06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP80N06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP80N06 製品の属性

品番 : FDP80N06
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
シリーズ : UniFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3190pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 176W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • BS250P

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • IRFR2405TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.

  • IXKP13N60C5M

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP.

  • SPA15N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP.