RSQ020N03TR 価格設定（USD） [410451個在庫]
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- 品番:
- RSQ020N03TR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSQ020N03TR electronic components. RSQ020N03TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSQ020N03TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSQ020N03TR 製品の属性
品番 :
RSQ020N03TR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
134 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.1nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
110pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
600mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT6 (SC-95)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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