SIHB12N60E-GE3 価格設定（USD） [41018個在庫]
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- 品番:
- SIHB12N60E-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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SIHB12N60E-GE3 製品の属性
品番 :
SIHB12N60E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
937pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
147W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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