説明 :
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
30V, 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
9.3A, 5.6A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
27nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1958pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)