DMP1022UFDE-7 価格設定（USD） [546014個在庫]
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- 品番:
- DMP1022UFDE-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP1022UFDE-7 electronic components. DMP1022UFDE-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP1022UFDE-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP1022UFDE-7 製品の属性
品番 :
DMP1022UFDE-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
800mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42.6nC @ 5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2953pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
660mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
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