Vishay Siliconix - IRF840STRL

KEY Part #: K6414421

[12761個在庫]


    品番:
    IRF840STRL
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRF840STRL electronic components. IRF840STRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF840STRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF840STRL 製品の属性

    品番 : IRF840STRL
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 850 mOhm @ 4.8A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 63nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 125W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRFIBG20G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 1000V TO-220FP.

    • IRFIZ44G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

    • IRFI9Z34N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP.

    • IRFI9Z24N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP.

    • IRFI9Z14G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

    • IRFI9610G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP.