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ON Semiconductor - FDMB3800N

KEY Part #: K6524933

FDMB3800N 価格設定（USD） [244308個在庫]

  • 1 pcs$0.15215
  • 3,000 pcs$0.15140
品番:
FDMB3800N
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMB3800N electronic components. FDMB3800N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMB3800N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMB3800N 製品の属性

品番 : FDMB3800N
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 5.6nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 465pF @ 15V
パワー-最大 : 750mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

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