ON Semiconductor - FQA16N50-F109

KEY Part #: K6417904

FQA16N50-F109 価格設定(USD) [45528個在庫]

  • 1 pcs$0.85883

品番:
FQA16N50-F109
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 16A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQA16N50-F109 electronic components. FQA16N50-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA16N50-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQA16N50-F109 製品の属性

品番 : FQA16N50-F109
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 500V 16A
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 320 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 200W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

あなたも興味があるかもしれません
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.