RJK03M5DPA-00#J5A 価格設定（USD） [168264個在庫]
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- 3,000 pcs$0.24180
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 30A WPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK03M5DPA-00#J5A electronic components. RJK03M5DPA-00#J5A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK03M5DPA-00#J5A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK03M5DPA-00#J5A 製品の属性
品番 :
RJK03M5DPA-00#J5A
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1890pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-WPAK
パッケージ/ケース :
8-WFDFN Exposed Pad
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