EPC - EPC2014C

KEY Part #: K6418886

EPC2014C 価格設定(USD) [151133個在庫]

  • 1 pcs$0.27055
  • 2,500 pcs$0.26921

品番:
EPC2014C
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in EPC EPC2014C electronic components. EPC2014C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2014C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2014C 製品の属性

品番 : EPC2014C
メーカー : EPC
説明 : GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 300pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die Outline (5-Solder Bar)
パッケージ/ケース : Die
あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.