説明 :
MOSFET P-CH 8V 9DSBGA
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
9.9 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
24.6nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1130pF @ 4V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
9-DSBGA
パッケージ/ケース :
9-UFBGA, DSBGA