技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
35A (Ta), 250A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
89nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
6680pF @ 30V
消費電力(最大) :
3.3W (Ta), 160W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads