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- 品番:
- IRF7820PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7820PBF electronic components. IRF7820PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7820PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7820PBF 製品の属性
品番 :
IRF7820PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1750pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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