FQI4N90TU 価格設定（USD） [75132個在庫]
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- 品番:
- FQI4N90TU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQI4N90TU electronic components. FQI4N90TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI4N90TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQI4N90TU 製品の属性
品番 :
FQI4N90TU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.13W (Ta), 140W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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