Infineon Technologies - IRLR3915TRPBF

KEY Part #: K6407547

IRLR3915TRPBF 価格設定(USD) [129512個在庫]

  • 1 pcs$0.28559
  • 2,000 pcs$0.24406

品番:
IRLR3915TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRLR3915TRPBF electronic components. IRLR3915TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3915TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR3915TRPBF 製品の属性

品番 : IRLR3915TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1870pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 120W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR3705ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.