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Microsemi Corporation - 1N5618US

KEY Part #: K6441744

1N5618US 価格設定（USD） [9305個在庫]

  • 1 pcs$3.78121
  • 10 pcs$3.40441
  • 25 pcs$3.10200
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  • 250 pcs$2.57235
  • 500 pcs$2.34537
  • 1,000 pcs$2.04275
品番:
1N5618US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5618US electronic components. 1N5618US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5618US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5618US 製品の属性

品番 : 1N5618US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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