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Comchip Technology - CDBDSC3650-G

KEY Part #: K6441779

CDBDSC3650-G 価格設定（USD） [57375個在庫]

  • 1 pcs$0.68150
品番:
CDBDSC3650-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology CDBDSC3650-G electronic components. CDBDSC3650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBDSC3650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC3650-G 製品の属性

品番 : CDBDSC3650-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 650V
電流-平均整流（Io） : 11A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 3A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 181pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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