Infineon Technologies - IPP60R600P7XKSA1

KEY Part #: K6396456

IPP60R600P7XKSA1 価格設定(USD) [54689個在庫]

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品番:
IPP60R600P7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R600P7XKSA1 製品の属性

品番 : IPP60R600P7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 80µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 363pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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