DMN601DMK-7 価格設定（USD） [545473個在庫]
- 1 pcs$0.06781
- 3,000 pcs$0.06069
- 品番:
- DMN601DMK-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN601DMK-7 electronic components. DMN601DMK-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN601DMK-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN601DMK-7 製品の属性
品番 :
DMN601DMK-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
510mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
304nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
50pF @ 25V
パワー-最大 :
700mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-26
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- SI1539DDL-T1-GE3
- NVMFD5489NLWFT3G
- AO4840L
- NTMD2C02R2SG
- NTMFD4C85NT1G
- AO6601_001
- AO4812_101
- IRFH4257DTRPBF
- PMDPB28UN,115
- JAN2N7335
- APTC90AM602G
- AUIRF7309Q
- IRFHM792TR2PBF
- SIZ910DT-T1-GE3
- ECH8662-TL-H
- SI7983DP-T1-GE3
- AO6810
- SP8K3FU6TB
- NTLUD3191PZTAG
- SI4226DY-T1-GE3
- APTM50DHM65TG
- APTM50AM70FT1G
- SI4913DY-T1-E3
- SI1912EDH-T1-E3
- FDR8308P
- BSO303PNTMA1
- ZXMD63C03XTC
- FDS4885C
- MMDF2N02ER2G
- IRF7317PBF
- IRF7306PBF
- SP8M9TB
- IRF7331TR
- SIZ900DT-T1-GE3
- FDS8960C
- BUK7K29-100EX
- IPG20N06S2L50AATMA1
- SQ9945BEY-T1_GE3
- QS6J11TR
- SIL2623-TP