Nexperia USA Inc. - BUK9Y19-75B,115

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品番:
BUK9Y19-75B,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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BUK9Y19-75B,115 製品の属性

品番 : BUK9Y19-75B,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 48.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.15V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 5V
Vgs(最大) : ±15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3096pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 106W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

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