IXYS - IXTH16P60P

KEY Part #: K6398308

IXTH16P60P 価格設定(USD) [10530個在庫]

  • 1 pcs$4.49955
  • 10 pcs$4.04827
  • 100 pcs$3.32843
  • 500 pcs$2.78870

品番:
IXTH16P60P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTH16P60P electronic components. IXTH16P60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH16P60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH16P60P 製品の属性

品番 : IXTH16P60P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
シリーズ : PolarP™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 720 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5120pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 460W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.