Infineon Technologies - AUIRFN8458TR

KEY Part #: K6525132

AUIRFN8458TR 価格設定(USD) [82617個在庫]

  • 1 pcs$0.47328
  • 4,000 pcs$0.38494

品番:
AUIRFN8458TR
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFN8458TR electronic components. AUIRFN8458TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFN8458TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFN8458TR 製品の属性

品番 : AUIRFN8458TR
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 43A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1060pF @ 25V
パワー-最大 : 34W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PQFN (5x6)

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.