Vishay Siliconix - SI7925DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523968

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    品番:
    SI7925DN-T1-GE3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7925DN-T1-GE3 製品の属性

    品番 : SI7925DN-T1-GE3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.8A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 4.5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
    パワー-最大 : 1.3W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8 Dual
    サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8 Dual

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