Infineon Technologies - IPD60R600C6ATMA1

KEY Part #: K6419909

IPD60R600C6ATMA1 価格設定(USD) [143505個在庫]

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品番:
IPD60R600C6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R600C6ATMA1 製品の属性

品番 : IPD60R600C6ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
シリーズ : CoolMOS™ C6
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 440pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 63W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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