Diodes Incorporated - DMN62D1LFDQ-13

KEY Part #: K6394907

DMN62D1LFDQ-13 価格設定(USD) [926229個在庫]

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品番:
DMN62D1LFDQ-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN62D1LFDQ-13 製品の属性

品番 : DMN62D1LFDQ-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : 2N7002 FAMILY X1-DFN1212-3 TR 1
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 400mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.55nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 36pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : U-DFN1212-3
パッケージ/ケース : 3-XDFN