説明 :
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
77nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2875pF @ 800V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-SMPD
パッケージ/ケース :
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad