Infineon Technologies - IPSA70R600CEAKMA1

KEY Part #: K6400567

IPSA70R600CEAKMA1 価格設定(USD) [85799個在庫]

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品番:
IPSA70R600CEAKMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R600CEAKMA1 製品の属性

品番 : IPSA70R600CEAKMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 210µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 474pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 86W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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