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ON Semiconductor - MVDF2C03HDR2G

KEY Part #: K6523437

[4166個在庫]

    品番:
    MVDF2C03HDR2G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G electronic components. MVDF2C03HDR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MVDF2C03HDR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MVDF2C03HDR2G 製品の属性

    品番 : MVDF2C03HDR2G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel Complementary
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.1A, 3A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 70 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 16nC @ 10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 630pF @ 24V
    パワー-最大 : 2W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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