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- 品番:
- MVDF2C03HDR2G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G electronic components. MVDF2C03HDR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MVDF2C03HDR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MVDF2C03HDR2G 製品の属性
品番 :
MVDF2C03HDR2G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.1A, 3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
630pF @ 24V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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