Microsemi Corporation - APTM120UM70DAG

KEY Part #: K6396561

APTM120UM70DAG 価格設定（USD） [373個在庫]

1 pcs$124.75785
100 pcs$124.13717

品番:: APTM120UM70DAG

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM120UM70DAG electronic components. APTM120UM70DAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120UM70DAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM120UM70DAG 製品の属性

品番 : APTM120UM70DAG

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 1200V 171A SP6

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 171A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 85.5A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 30mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 1650nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 43500pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 5000W (Tc)

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

パッケージ/ケース : SP6

最新ニュース

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

あなたも興味があるかもしれません

ZVN3306ASTZ

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.
FDD9409-F085

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 90A TO252.
FDD86367-F085

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.
FDD86540

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.
TK40A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.
SI2316DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

English 日本語