DMP2010UFG-13 価格設定（USD） [248099個在庫]
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- 品番:
- DMP2010UFG-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP2010UFG-13 electronic components. DMP2010UFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP2010UFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP2010UFG-13 製品の属性
品番 :
DMP2010UFG-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.7A (Ta), 42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
103nC @ 10V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3350pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
900mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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