[13607個在庫]
- 品番:
- IRC640PBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRC640PBF electronic components. IRC640PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRC640PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRC640PBF 製品の属性
品番 :
IRC640PBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1300pF @ 25V
FET機能 :
Current Sensing
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-5
パッケージ/ケース :
TO-220-5
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