[12852個在庫]
- 品番:
- IRFSL31N20DTRL
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 31A TO-262.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFSL31N20DTRL electronic components. IRFSL31N20DTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL31N20DTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL31N20DTRL 製品の属性
品番 :
IRFSL31N20DTRL
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2370pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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