[559個在庫]
- 品番:
- SI5406DC-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5406DC-T1-E3 electronic components. SI5406DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5406DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5406DC-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI5406DC-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
600mV @ 1.2mA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.3W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
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