SSM3K59CTB,L3F 価格設定（USD） [934746個在庫]
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- 品番:
- SSM3K59CTB,L3F
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 2A CST3B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB,L3F electronic components. SSM3K59CTB,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K59CTB,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K59CTB,L3F 製品の属性
品番 :
SSM3K59CTB,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
シリーズ :
U-MOSVII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 8V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
215 mOhm @ 1A, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.1nC @ 4.2V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
130pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
CST3B
パッケージ/ケース :
3-SMD, No Lead
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